规格参数:
| 型号 | DR |
| 输出类型 | CMOS |
| 输出负载 | 15pF或定制 |
| 振荡模式 | 基频(Fundamental) |
| 供应电压(Vdd) | 3.3V |
| 频率范围 | 50MHz~200MHz |
| 工作温度 | -10℃~+70℃,-40℃~+85℃,或定制 |
| 存储温度 | -55℃~+125℃ |
|
电压Vol(最大值)/Voh(最小值) |
0.1Vdd/0.9Vdd |
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上升(Tr)/下降(Tf)时间 |
5nS最大 |
| 供应电流 | 60mA最大 |
| 对称性 | 45~55% |
| 启动时间 | 10mS最大 |
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绝对牵引范围(APR) |
±50ppm最小,或定制 |
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标称控制电压 |
0.5Vdd |
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控制电压范围 |
0~Vdd |
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线性度 |
10%最大 |
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相位抖动(12KHz~20MHz) |
1pS最大 |
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