印刷电路板占位面积、散热性能及低阈值电压使得晶振的稳定性等要求更高

      Zetex推出其首款采用无铅2mmx2mmDFN封装的MOSFET产品ZXMN2F34MA。该器件的印刷电路板占位面积比行业标准SOT23封装器件小50%，板外高度只有0.85mm，适用于各类空间有限的开关及电源管理应用，如降压/升压负载点转换器中的外置开关。对这些应用而言，印刷电路板的占位面积、散热性能及低阈值电压是最重要的。
      MOSFET是Zetex六款新型低电压（20V和30V）N沟道单双器件系列的一款，该系列有不同的表面贴装封装可供选择。
      尽管尺寸缩小了，额定电压为20V的ZXMN2F34MA的散热性能却胜过体积比它大得多的 SOT23 封装。该器件采用的 DFN322无铅封装可保证热阻比同类产品低40%，有助于降低工作温度和改善功率密度。在4.5V和2.5V的典型栅源极电压下，ZXMN2F34MA的导通电阻值分别仅有60mΩ和120mΩ。
     此外，新器件的反向恢复电荷较低，可减少开关损耗和电磁辐射（EMI）问题，SJK的晶体振荡器非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用，这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。
      ZXMN2F34MA系列采用DFN322封装，其中ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和ZXMN3F30FHTA三款采用SOT23封装的N沟道MOSFET；ZXMN3F31DN8和ZXMN3G32DN8两款则是采用SO8封装的双N沟道器件。

Zetex新款无铅型DFN 封装的MOSFET产品